内存疯、闪存喷 存储业界涨势深度分析
月DRAM价格猛增13% Flash亦涨
最近几个月来,DRAM价格连连上涨,同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年初的金融海啸时期已经有较大起色,但是这内存的价格上涨也波及到了电子卖场中的零售价格。那么究竟现在的内存产品是怎样的一个局面呢,下面小编就给大家来个深度分析,给你讲讲这里面的道道。
9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均报价约为 1.70 美元,较上个月多出了近 13%。DDR2产品出现缺货情况,因日本和南韩的记忆体晶片制造商,皆已转向生产 DDR3 DRAM。PC制造商对DRAM的需求增长强势,部分原因在于微软的新系统 Windows 7 需要,Windows 7将于10月22日正式公开亮相。虽然说Windows7不是救世主,但是Windows7也极大的刺激了内存方面的消费。一般用以制造随身型音乐播放器的16GB NAND Flash,9月平均价格增加4%到4.70 美元。32GB的款式价格则上扬11% 至约7.50 美元。
智能手机的普及,也提高了Flash记忆体的需求。一位分析师臆测指出,此波价格上涨乃因为苹果公司大幅调升其iPhone 3GS产品的生产数量。苹果最新发行的iPod播放器,销售情况也相当优秀强劲。另一方面,全球第2大的NAND制造商东芝高层人士指出,大容量SD卡的需求也正与日俱增。无论是内存还是闪存,在10月的时候,还会有进一步上扬的态势。我国南方山寨厂商,要想进一步压低成本,可以在最近多囤积一些内存闪存,以便应付即将到来的圣诞节和春节的大批量订单。
DRAM现货坐地起价飙到2.5美元
本月初DRAM站稳2美元后,随旺季需求延续,上周以来DRAM涨势加速,每天都以上涨逾3%的幅度前进,目前DDR3、DDR2持续走涨,1Gb DDR2 800MHz上涨2.71%,来到2.5美元,创近一年半新高价。
1Gb DDR2上涨2.64%,为2.41美元;1Gb DDR3上涨1%,来到2.35美元。预计本月上旬现货价飙涨超过两成,1Gb DDR2不但抵2.5美元,且价格超越DDR3,预期短期仍有机会挑战新高,惟波段涨幅已高,本月下旬涨势可能降温。随现货走扬,力晶积极扩产,有利10 月营收再攀高。9月南科合约价涨幅约15%,本月合约价涨势可望加温,预估南科10月合约价涨幅二成以上。
高规格生产工艺吓死人
日本记忆体晶片大厂尔必达宣布,将在年底导入40纳米制程量产,尔必达在台合作伙伴力晶、瑞晶随后跟进,成本竞争力大增。由于40纳米技术可增加近五成产出,尔必达联盟对后段封测协力厂力成将扩大订单,同步受惠。尔必达计划斥资400亿日圆约为4.52亿美元,跨入40纳米制程以提高产出,尔必达表示,由现今50纳米制程微缩到下个世代制程,每片晶圆产出可增加44%。
另外半导体大厂三星子、海力士半导体均大举微缩制程,以增加单一晶圆的产出量。透过制程微缩来降低成本,平均每一个纳米世代,所投入成本约10亿美元左右。伴随着记忆体价格回升,今年以来主流DRAM价格约上涨3倍之多,具有实力半导体厂展开另一回合制程竞赛。
台湾DRAM厂中,原本仅有隶属美光联盟的南科、华亚科有40纳米布局蓝图,预计透过共同研发方式,明年底导入。南韩内存制造商Hynix. 12日宣布,将开始量产一款采54纳米制程技术的1GB DDR3 DRAM,其耗电量将节省30%,运算速度则较DDR2增加近1倍。Hynix表示,该公司计划将能源节省技术应用于未来推出的产品,包括即将在本季稍晚量产的44纳米制程2GB DDR3。此外,Hynix并计划在09年底前将DDR3产能比重由目前的30%提升至超过50%。
根据科技市调机构iSuppli统计,1GB DDR3 DRAM占总体DDR3市场的比重目前已达87%。提升到先进的生产工艺,可以极大的减少生产成本,由此让内存产品更具价格竞争力。
劲永弄到钱了 私募4.75亿元入账
最近内存业界有一件大事发生。内存模组厂劲永完成私募案,除了同业威刚之外,包括NAND Flash设计公司联阳、IC通路商益登、记忆卡封装厂硕达等上下游同业纷纷力挺,而这次参与私募的伙伴因为联电色彩浓厚,也引发市场关注。劲永这次私募共募得新台币4.75亿元,趁现在记忆体产业开始复苏,DRAM和NAND Flash价格上扬之际,募得资金已获得下一波营运成长动能。
随着DRAM和NAND Flash价格谷底翻扬,记忆体模组产业率先走出产业股底,2009年不但转亏为盈,且获利能力远优于上游记忆体制造厂,并趁着景气好转之际,积极进行筹资活动,其中劲永藉由此次私募,更是与威刚进行策略联盟,这是继威刚投资宇瞻后,再度出手投资模组同业。
劲永这次私募价为每股19.56元,共募得新台币4.75亿元资金中,较受注目的参与者包括威刚、益登、联阳和硕达。其中威刚认购6000万元、益登认购 2000万元、联阳认购1000万元、硕达认购750万元,其他投资人包括兆丰国际商业银行受托保管汉鼎亚太大中华成长基金投资专户、香港上海汇丰银行台北分行受托保管EFG银行投资专户和华升创投等。
内存厂商认为,由于劲永和威刚在记忆体产业中,DRAM和NAND Flash供应货源都相当相近,皆与海力士、英特尔、力晶等大厂交好,这次威刚藉由私募方式投资劲永,未来有机会发挥联合采购的优势,把握这波记忆产业的多头行情,加上具联电色彩的联阳加入,劲永逐渐也冠上联电色彩。劲永在DRAM和NAND Flash价格上扬,终端需求转强下,第3季合并营收达55.63亿元,较第2季33亿元增加达70%,营运明显走出谷底,加上策略性合作伙伴到位,公司对下半年营运相当有信心。
东芝转亏为盈 台商股指涨停
因成本删减策略奏效、新兴国家需求增加以及节能家电普及方案等政策措施效果显现,拉抬数位家电及汽车销售触底走扬,激励日本各制造业大厂陷入亏损的主要事业部门纷纷转亏为盈。在业绩获得改善的事业中尤以半导体部门改善状况最为明显。其中,东芝旗下使用于可携式音乐播放机、PC记忆媒体的NAND Flash部门因从年初到6月持续进行减产30%的措施,造成供需紧绷加上价格止跌,故已于今年Q3)转亏为盈,较东芝原先预估于Q4转盈的目标提早了一季达成。虽有日圆走高等不明因素存在,惟若个别部门营业获利状况持续获得改善,则可望有效支撑力图走向回复之路的制造业整体业绩。
另一方面,DRAM现货价在冲破2美元后,持续走高,力晶因子公司瑞晶率先转盈而大涨,而华亚科本季也可望转盈攻涨停。近日力晶反映旗下子公司瑞晶率先转盈而大涨,而华亚科本季也可望转亏为盈,随下周三将率先召开法说会公布季报,近日买盘激增,止跌弹升,带动类股表现强势。
南科、华亚科已订10月21日率先举行法说会,受惠第三季DRAM价格走升,单季亏损将可望持续缩小,其中华亚科本季可望继瑞晶之后,成为第二家转亏为盈的 DRAM公司。目前DRAM成为类股中的强势指标。DRAM现货价上周五持续大涨,DDR2 1Gb的报价已攀升至每颗2.27美元,不但是一年多来的新高,也已是部份厂商可获利的价位,由于厂商指出,目前DDR2持续缺货中,预估现货价的涨势仍可延伸至11月。
DRAM股近日全面走扬,除了已明确表示加入台湾创新记忆体公司的茂德强攻涨停板外,其余DRAM股也都比台股的走势强。DRAM现货价在冲破2美元后,持续走高,力晶因子公司瑞晶率先转盈而大涨,而华亚科本季也可望转盈攻涨停。力晶攻破季线,该公司上月营收达33.12亿元,较8月营收成长25%,创今年度新高纪录,转投资瑞晶电子更已于9月率先转亏为盈,成为台 DRAM厂第一家,以目前DRAM现货价已达2美元以上,本季将持续获利,为力晶挹注获利。力晶表示由于标准型DRAM报价稳步走高,加上该公司出货增加,营收呈现稳定成长。鉴于下游PC市场需求畅旺,对DRAM供需平衡将有正面助益,随着报价逐步走扬,力晶将可回收庞大折旧,产生足够现金,强化财务状况。相较其它DRAM厂商仍以70纳米制程为主力,力晶65纳米技术目前仍掌握显着的成本优势,瑞晶电子第三季可望出现损益两平佳绩。
笔记本SSD市场成长达7倍之多
飙涨的闪存价格让SSD固态硬盘取代笔电中传统硬盘的脚步放缓。但是使用的SSD的笔记本却愈来愈多,比去年一举增加7倍。iSuppli周四公布报告,SSD的企业市场营收可望从去年的1.27亿美元成长到今年的8.83亿美元,而出货台数也从去年的140万台成长到580万台。占SSD成本90% 以上的NAND Flash成本飙涨,使得SSD在笔电市场完全无法和HDD竞争。iSuppli分析师Michael Yang指出,对想扩充功能和降低整体耗电量的企业来说,SSD却是很具吸引力的选择。SSD厂商期望明后年因为企业IT运算架构厂商加速采用,SSD的销售能再创新高。此外,企业采用也有助于压低SSD整体价格,进而带动其在笔电市场的SSD推广。
其他推动笔电采用SSD的关键因素则来自厂商,包括研发更好的功能、比HDD更大的效益以及更强的市场行销,iSuppli说。由于SSD价格一定会高过 HDD,所有这些因素都不可或缺。iSuppli预测,到2013年SSD市场总值将达到108亿美元,从2008年起,年复合成长率为142.8%。而出货台数2008到2013年的年复合成长率为115.6%,成长到6520万台。相较HDD,SSD的优势包括I/O速度更快、耗电量率、体积小等等。这些因素都有助于降低数据中心成本,更能抵消SSD的高价。