EUV的未来投下何种变数仍有待观察

　　日本的Komatsu和Ushio稍早前公布，已终止有关光源合资企业Gigaphoton的合作协议。Komatsu将从Ushio手中买下50%股权。未来Gigaphoton将成为Komatsu的全资子公司。而此举会为EUV的未来投下何种变数仍有待观察。
　　成立于2000年8月的日本Gigaphoton公司主要业务是开发、出产和销售光刻工具用的准分子激光光源，是由Ushio和Komatsu合资成立的企业，双方各握有50%股权。
　　包括Cymer、Gigaphoton、Ushio和其他业者都正在为下一代光刻工具开发EUV光源。Gigaphoton采用激光激发电浆型(LPP)户方法，而Ushio则采取放电激发电浆型(DPP)方法(电 子工程 专辑版权所有，谢绝转载)。
　　现在，Gigaphoton和Ushio将在EUV光源市场中展开竞争。Cymer公司是LPP技术的推动厂商。在LPP方法中，电浆是透过在指定材料上收集强盛的激光束来激发，而DPP方法则是透过在电子间对大电流脉冲充电来激发电浆。
　　日本的Ushio去年收购了飞利浦电子的EUV光源业务。飞利浦之前便已将其EUV事业部转移到日本公司的EUV部分，称之为Xtreme Technologies GmbH。Xtreme一直在从事EUV光源的研发，并自2008年起与飞利浦合作开针对下一代半导体技术的EUV光源。
　　Ushio在2005年取得Xtreme的50%股权，并于2008年与飞利浦联袂展开研究，其研究也特别着重在EUV光源部份。而在统一年，Ushio也并购Xtreme，使其成为100%的子公司(电子工 程专 辑版权所有，禁止转 载)。
　　目前，作为下一代光刻技术主要候选人之一的EUV技术，仍旧由于光源、光刻胶和枢纽掩膜与量测基础举措措施的缺乏而延迟(参阅电子工程专辑报道：光刻世界的期待与沮丧)。但芯片制造商仍对它布满寄望。“我们估计在14nm节点可导入EUV技术，”台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义说。
　　台积电的28nm工艺采用的是193nm浸入式光刻技术；蒋尚义表示将在20nm工艺导入双重曝光(double patterning)，而EUV技术则预计最快在14nm时才可望实现。
　　“EUV的最主要挑战在产量和光源，”蒋尚义说。尽管站在芯片供给商的角度，整个工业都致力于建构完整的EUV基础环境，但根本上EUV要能顺利应用仍旧缺乏很多前提，特别是在光源部份，现在整个工业都在等待光源的改良(电 子工 程专 辑版 权谢绝转 载)。
　　不外，就算EUV真的赶不及，蒋尚义表示，仍有其他替换技术可供选择。他看好电子束技术。举例来说，“荷兰Mapper Lithography已经开发出110电子束系统了，尽管该系统仍在开发初期，但根据产品蓝图，未来该公司将提供13,000电子束系统，”蒋尚义说。
　　从技术角度来看，“我们至少可以延伸到7nm或8nm，”蒋尚义说。而芯片制造商在选择下一代光刻技术时，必需对晶圆本钱做全盘问量。因此，下一代光刻技术的发展仍旧布满变数。
　　台积电预计2012下半年试产20nm工艺，而预估2013~2014导入的18英寸晶圆也将搭配20nm工艺。

转载请注明 http://www.pcbvs.com